Научная и техническая литература

Теоретическое исследование тонких пленок карбида кремния

Теоретическое исследование тонких пленок карбида кремния

Автор:

Карбид кремния представляет собой перспективный материал, широко применяемый в полупроводниковой технике. Он обладает рядом уникальных свойств,что может позволить улучшить практически все характеристики приборов силовой и цифровой электроники, созданных на его основе.Развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Получение качественных малодефектных кристаллов SiC определенного политипа сопряжено с рядом трудностей, и одна из них – эффективная система управления процессом роста кристалла. Основная идея данной работы заключалась в изучении структуры, свойств и возможности получения графеноподобного 2D SiC. Было изучено влияние числа слоев на возможность перехода из одной модификации карбида кремния в другую. Были изучены системы 2D SiC на пластинках Mg (0001) и Zr (0001), как на потенциальных материалах для подложек при выращивании монослоя, а также исследовано поведение дефектов в монослое SiС и их влияние на физические свойства материала.

Издатель:

Год: 0

Серия:

Язык:

Страниц: 0

Возрастные ограничения:







Скачать Теоретическое исследование тонких пленок карбида кремния

Скачать Теоретическое исследование тонких пленок карбида кремния (зеркало)

68 Tweets
Макс Сокович 4 6 минут назад
Супер!!! Рекомендую всем
Екатерина Марухина 11 часов назад
Спасибки! Вы лучшие.
Мария Калинина 20 часов назад
Накачала много книг для учебы - спасибо.
Отличный сайт. Добавил в закладки. Рекомендую.
Наталья Kapustina 22 дня назад
Вы просто крутые перцы, столько книг выложили

      Похожие книги: